长江存储交付192层NAND芯片？5年时间，国产就追上三星、美光了

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崭新时代——国产存储芯片登峰造极

近日，媒体纷纷报道了一则令人振奋的消息：长江存储，这家国产存储芯片巨头，已成功交付自主研发的192层3D NAND闪存，并计划在年底前进行大规模交付。而更早前，他们还推出了UFS3.1规格的通用闪存芯片—UC023。这两则消息相互交织，意味着国产存储芯片终于追平了全球巨头三星、美光、SK海力士。

这一决策证明着长江存储的眼光和勇气。采用Xtacking技术后，他们的128层NAND闪存不仅在容量、位密度和I/O速度方面超越同行，性能甚至略胜一筹。但三星、美光却并未停下脚步，在2021年推出了192层堆叠的NAND闪存。这使得长江存储虽有进步，却仍然稍逊一筹，因为层数越高，密度越大，成本就越低。

据有关机构的数据显示，2021年，长江存储的NAND闪存产品在全球市场份额约为4%，而预计到2022年，这一份额将增长至7%。可以说，在短短五年多的时间里，国产内存产品不仅完成了从零起步，还成功追平了国际顶级大厂。不再为内存芯片的短板而担忧，因为国产内存早已不再缺席，正以世界领先的姿态闪耀舞台。

这一成就的背后，是长江存储团队的不懈努力与创新精神。在市场竞争激烈的背景下，他们坚持自主研发，坚守创新的道路。从最初的32层到现在的192层，每一次突破都代表着科技的进步和国产芯片行业的崛起。

在光怪陆离的科技竞技场中，长江存储展现了国产存储芯片的强大实力。他们的成功，源自一股不屈不挠的创新风潮。回望过去的五年多时间，长江存储从最初的32层闪存起步，一路奋勇向前，跃升至192层高度。这不仅仅是技术的跃进，更是国家科技实力的崛起。

当年，长江存储仅推出64层TLC技术，远远落后于三星、美光等巨头推出的128层NAND闪存。但他们并没有在竞争中退缩，相反，他们勇敢地选择了创新之路。采用了自研的Xtacking技术，他们绕过了96层，直接实现128层的堆叠。这一技术的应用，使得长江存储的NAND闪存产品在容量、位密度和I/O速度等方面领先同行，略显优势。

如今，国产存储芯片终于成功追平了全球顶尖大厂，从最初的4%市场份额，预计在2022年将达到7%。国产内存产品早已在全球舞台上崭露头角，不再为技术短板而担忧。长江存储的成功，不仅是科技领域的辉煌篇章，更是中国科技工业迅速崛起的象征。

面对日益激烈的国际竞争，长江存储敢于挑战、勇于创新，为国产存储芯片赢得了宝贵时间。他们的坚持和努力，不仅推动了技术的飞速发展，更为国家科技产业的繁荣注入了强劲动力。

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