外媒：美光的目的达到了

近日，韩企SK海力士率先公布了321层NAND闪存样品，三星、美光也表示将推出300层以上的NAND闪存。这样的话，全球存储三巨头将纷纷迈入300以上层级。

要知道，去年下半年长江存储可是领先于他们，首个量产了232层NAND闪存，如今却因为美方限制无法继续。对此，外媒表示美光的目的达到了，情况真的如此吗？

(资料图片仅供参考)

存储芯片是所有芯片中用量最大的一类，从我国的芯片进口情况就可以看出，几乎能够占到三分之一左右。之前，存储芯片一直被国外企业垄断，我们也是主要依赖进口。

存储芯片主要有DRAM内存和NAND闪存两种，为了打破国外垄断局面，国内企业长鑫存储主攻DRAM内存，长江存储主攻NAND闪存，通过努力已初步打开了缺口。

为扩大市场份额，两家都纷纷加速投资扩产，如果顺利的话两家的份额都能达到7%。

然而，就在长鑫存储和长江存储正在扩产的关键阶段，美方发布了史上最严的出口管制新规，在逻辑芯片限制标准提升到14nm的基础上，又对存储芯片规定了限制标准。

其中，DRAM内存芯片要求半间距不超过18nm，NAND闪存芯片限制128层或更多层。根据新规的限制标准，美企或使用美技术的企业都不得向中企出货相关设备等。

长鑫存储目前最先进的量产芯片主要是19nm，因此设备进口暂时不会受到新规限制。

可长江存储就不同了，近几年技术进步速度非常快，已经达到全球领先水平，甚至去年还全球首发了232层NAND闪存。可以说，长江存储已经追上了全球存储三巨头。

长江存储取得的进步，看不过去的恐怕就是美光了，因为美光在技术和份额上都比不过三星、SK海力士，如果长江存储发展速度过快，恐怕首先就会影响到它的市场份额。

于是，美光就开始私下搞小动作，甚至拿出954万美元经费，游说美方制裁中企存储。

在美光的多次游说下，美方不仅在新规中增加了存储芯片的限制发展标准，还将长江存储加入到所谓的“实体清单”，导致长江存储所需的很多芯片制造设备被限制进口。

在这种情况下，别说再发展300层以上NAND闪存了，连232层和128层的生产都受到很大影响。为此，长江存储CEO甚至提出，已购买而不能使用的设备应该回购。

对此，有外媒直接表示：美光目的达到了，长江存储被限制了，但事实真是如此吗？

首先，美光付出的代价也很大。美光因为吃饭砸锅的举动，被我国网信办对其在华销售产品进行网络安全检查，结果存在重大安全风险，限制国内重大基础设施部门采用。

本来芯片形势下行，美光已经受损很严重，如今限制采购让美光的损失变得越来越大。

要知道，美光实际上全球收入的四分之一来自大陆市场，这下至少会影响美光一半的大陆收入，所以美光前段时间用投资扩建西安工厂来示好，CEO还亲自来拜访商务部。

其次，长江存储还会实现突破。有消息显示，在长江存储最困难的时期，国家大基金及时进行注资支持，同时长江存储还开始大量采用国产设备，争取逐步实现国产替代。

长江存储所需最多的刻蚀设备，近日中微公司表示，明年进口受限部件能100%替代。

另外，华为近日Mate60突然在发布会前上市销售，据说用上了麒麟9000S芯片，并且内置5G基带，说明华为已经基本解决了芯片问题，这显出国内芯片突破的爆发力。

华为在那么困难的情况下都能够突围，相信长江存储也会实现突破，解决国外设备受限制的问题，加上国内相关设备厂商也在努力，连最复杂的光刻机都传出快要突破了。

因此，其实美光的目的并不算达到，不仅因为游说导致损失很大，还逼迫长江存储加速实现国产替代，一旦解决了设备问题，恐怕美光的损失将会更大，将彻底失去市场。

其实不仅仅是美光，美方的芯片限制都不会有好的结果，只会促使我们变得更加强大！

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